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检测执行标准信息一览：
标准编号：GB/T 14141-2009硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
标准状态：现行
标准简介：本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm 的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2μm 的薄层,方块电阻的测量范围为10Ω~5000Ω。该方法也可适用于更高或更低阻值方块电阻的测量,但其测量精确度尚未评估。
英文名称： Test method for sheet resistance of silicon epitaxial,diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
替代情况： 替代GB/T 14141-1993
中标分类： 冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合
ICS分类： 电气工程>>29.045半导体材料
发布部门： 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期： 2009-10-30
实施日期： 2010-06-01
*发日期： 1993-02-06
提出单位： 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)
检测流程步骤
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