国家标准(GB)

GB/T 24612.1-2009电气设备应用场所的安全要求 第1部分:总则

GB/T 24612.1-2009电气设备应用场所的安全要求 第1部分:总则

GB/T 24612.1-2009电气设备应用场所的安全要求 第1部分:总则,本部分规定了电气设备应用场所应该满足的基本安全要求。本部分适用于按照电气安全要求制造完成后诸如在使用和维护等生命周期内的电气设备。本部分的目的是为操作裸露的带电部件或电路部件和在其附近工作的人员提供与电气危害相关的安全保障。"
GB/T 1558-2009硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法

GB/T 1558-2009硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法

GB/T 1558-2009硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法,本标准规定了硅中代位碳原子含量的红外吸收测量方法。本标准适用于电阻率高于3Ω·cm 的p型硅片及电阻率高于1Ω·cm 的n型硅片中代位碳原子含量的测定,对于精密度要求不高的硅片,可以测量电阻率大于0.1Ω·cm 的硅片中代位碳原子含量。由于碳也可能存在于间隙位置,因而本方法不能测定总碳含量。本标准也适用于硅多晶中代位碳原子含量的测定,但其晶粒界间区的碳同样不能测定。"
GB/T 14141-2009硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定

GB/T 14141-2009硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定

GB/T 14141-2009硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法,本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm 的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2μm 的薄层,方块电阻的测量范围为10Ω~5000Ω。该方法也可适用于更高或更低阻值方块电阻的测量,但其测量*度尚未评估。"
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